氮化镓半导体器件
授权
摘要
本实用新型提供一种氮化镓半导体器件，氮化镓半导体器件包括源极焊盘、栅极焊盘、漏极焊盘、栅极总线、多个栅极指状部、多个源极触件和多个漏极触件；栅极指状部、源极触件和漏极触件均沿着第一方向延伸并沿着垂直于第一方向的第二方向布置，每个栅极指状部位于相邻的源极触件和漏极触件之间；源极焊盘和漏极焊盘沿着第一方向布置，源极触件和漏极触件均位于源极焊盘和漏极焊盘之间；栅极总线沿着第二方向延伸，多个栅极指状部通过栅极总线与栅极焊盘连接，多个源极触件均与源极焊盘连接，多个漏极触件均与漏极焊盘连接；位于第二方向中部的栅极指状部的长度小于位于第二方向两端的栅极指状部的长度。该氮化镓半导体器件内部温度分布均匀。
基本信息
专利标题 ：
氮化镓半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022502308.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-11-02
授权号 ：
CN213716905U
授权日 ：
2021-07-16
发明人 ：
姚卫刚李浩
申请人 ：
英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请人地址 ：
广东省珠海市高新区金园二路39号
代理机构 ：
珠海智专专利商标代理有限公司
代理人 ：
薛飞飞
优先权 ：
CN202022502308.X
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L29/423
法律状态
2021-07-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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