一种氮化镓P沟道器件
实质审查的生效
摘要
本发明属于半导体技术领域，涉及一种氮化镓P沟道器件(P‑MOSFET)。本发明中氮化镓P‑MOSFET的AlGaN势垒层具有渐变Al组分，利用渐变Al组分AlGaN势垒层和P‑GaN沟道层之间的极化效应，在P‑GaN/AlGaN异质结界面产生二维空穴气(2DHG)，形成导电空穴沟道，从而形成氮化镓P‑MOSFET。本发明的有益效果：利用渐变Al组分AlGaN势垒层，可以通过调节渐变Al组分AlGaN势垒层中各层的Al组分调节AlGaN与P‑GaN沟道层之间的极化强度，从而调节极化产生的2DHG浓度、氮化镓P‑MOSFET的阈值电压和电流能力；同时，也可以通过调节AlGaN势垒层中各层的Al组分，调节AlGaN/GaN异质结界面二维电子气(2DEG)浓度，从而实现氮化镓P‑MOSFET和氮化镓N‑MOSFET的单片集成。
基本信息
专利标题 ：
一种氮化镓P沟道器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551573A
申请号 ：
CN202210174673.3
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-02-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
周琦蔡永莲陈匡黎王守一衡姿余李竞研张波
申请人 ：
电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请人地址 ：
四川省成都市高新西区西源大道2006号
代理机构 ：
成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙一峰
优先权 ：
CN202210174673.3
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/20 H01L29/205 H01L29/78
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20220224
申请日 : 20220224
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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