深沟道器件的刻蚀方法
专利申请权、专利权的转移
摘要
本发明公开了一种深沟道器件的刻蚀方法，包括以下步骤：第一步是用等离子态的气体对腔体进行自清洗；第二步是用等离子态的气体去除自然氧化膜；第三步是用等离子态的气体刻蚀基板。采用本发明的刻蚀方法，既能实现对腔体进行自清洗，保证腔体环境的清洁，又不对器件产生影响，可以提高深沟道器件刻蚀的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
深沟道器件的刻蚀方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1967773A
申请号 ：
CN200510110470.4
公开（公告）日 ：
2007-05-23
申请日 ：
2005-11-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王奎吴志丹李虹潘周君虞颖吉黎
申请人 ：
上海华虹NEC电子有限公司
申请人地址 ：
201206上海市浦东新区川桥路1188号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
丁纪铁
优先权 ：
CN200510110470.4
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00 H01L21/3065 H01L21/311 C23F1/12 C23F4/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2014-01-15 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101685696978
IPC(主分类) : H01L 21/00
专利号 : ZL2005101104704
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 上海华虹NEC电子有限公司
变更后权利人 : 上海华虹宏力半导体制造有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201206 上海市浦东新区川桥路1188号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
登记生效日 : 20131219
号牌文件序号 : 101685696978
IPC(主分类) : H01L 21/00
专利号 : ZL2005101104704
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 上海华虹NEC电子有限公司
变更后权利人 : 上海华虹宏力半导体制造有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201206 上海市浦东新区川桥路1188号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
登记生效日 : 20131219
2010-05-05 ：
授权
2007-07-18 ：
实质审查的生效
2007-05-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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