一种改善EMI的深沟槽MOS器件

授权

摘要

本实用新型公开了一种改善EMI的深沟槽MOS器件。该器件包括衬底、若干层中间外延层和表面外延层，中间外延层和表面外延层内形成有沟槽，沟槽的底部设置在最底层的中间外延层内，沟槽内填充有第二导电类型的杂质，沟槽的两侧的每层中间外延层上侧形成若干个第一导电类型的pillar，第一导电类型的pillar的端部深入至沟槽的内部。本实用新型通过在沟槽的两侧设置若干个第一导电类型的pillar，从而改变沟槽内的第二导电类型的pillar的形状，使得开关过程中，Coss的充放电会变缓，减小了开关震荡，降低了开关噪声，EMI性能得到提升；且由于未增加整体的EPI厚度及光罩层，成本也不会增加。

基本信息

专利标题：

一种改善EMI的深沟槽MOS器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021334153.7

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-07-09

授权号：

CN212303676U

授权日：

2021-01-05

发明人：

薛璐何军胡兴正刘海波

申请人：

南京华瑞微集成电路有限公司

申请人地址：

江苏省南京市浦口区江浦街道浦滨大道88号科创园3号楼5楼

代理机构：

南京瑞华腾知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

梁金娟

优先权：

CN202021334153.7

主分类号：

H01L29/06

IPC分类号：

H01L29/06 H01L29/78 H01L21/336