沟槽栅功率器件
公开
摘要
本发明公开了一种沟槽栅功率器件，在半导体衬底上形成有多个栅极沟槽且各栅极沟槽和各台面区交替排列；在栅极沟槽中形成有第一导电材料层，和源区接触的第一通孔设置在台面区顶部，第一通孔的第一侧的第一导电材料层连接到栅极以及第二侧的第一导电材料层的顶部连接到源极；第一通孔和第一侧的栅极沟槽具有第一间距以及和第二侧的栅极沟槽具有第二间距，第二间距小于第一间距的结构。本发明结合沟槽栅的第一导电材料层的电极连接设置以及台面区的源区顶部的通孔的设置，能使台面区的宽度所能达到的最小值缩小，从而能缩小台面区的宽度并从而缩小栅极沟槽和台面区形成的步进，从而能提高器件的性能。
基本信息
专利标题 ：
沟槽栅功率器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582863A
申请号 ：
CN202011379469.2
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-12-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
曾大杰
申请人 ：
南通尚阳通集成电路有限公司
申请人地址 ：
江苏省南通市崇川区崇川路79号国际青创园1号楼18层
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭四华
优先权 ：
CN202011379469.2
主分类号 ：
H01L27/088
IPC分类号 ：
H01L27/088 H01L27/082 H01L29/423 H01L29/739 H01L29/78 H01L21/8234 H01L21/8222
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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