一种沟槽型功率开关器件
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摘要
一种沟槽型功率开关器件，包括衬底、在所述衬底上通过外延生长形成N型外延层、在所述衬底上刻蚀形成的沟槽、在所述沟槽内部形成的栅极、在所述衬底上通过注入P型掺杂形成的体区、在衬底上进行N型掺杂注入形成的源区、与所述源区相连的源极以及形成在所述衬底上的漏极，还包括通过注入P型掺杂形成的P型埋层和外围P型区，所述P型埋层形成在所述沟槽的底部，所述外围P型区形成在所述沟槽的外围，所述P型埋层与所述外围P型区相连，并通过所述外围P型区接地和所述源区。该开关器件能够达到与分栅沟槽型器件同样的分栅性能，并且，其开关损耗低，耐压高，内阻低，制作工艺简单，成本低。
基本信息
专利标题 ：
一种沟槽型功率开关器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921779020.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-22
授权号 ：
CN211045443U
授权日 ：
2020-07-17
发明人 ：
张枫孙军张振中
申请人 ：
深圳基本半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区高新区南区南环路29号留学生创业大厦二期22楼
代理机构 ：
深圳新创友知识产权代理有限公司
代理人 ：
王震宇
优先权 ：
CN201921779020.8
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/78 H01L21/336
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法律状态
2020-07-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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