沟槽型功率MOS器件及其制造方法
公开
摘要
本发明提供了一种沟槽型功率MOS器件及其制造方法，在终端区最外侧终端沟槽的外侧的衬底的要求深度中增设至少一个掺杂区，所述掺杂区掺杂有第二导电类型的杂质，且所述掺杂区的净掺杂的导电类型为第一导电类型，能够优化最外侧终端沟槽附近的耗尽宽度和耗尽区边界线的曲率半径，使得耗尽边界线距终端区最外侧终端沟槽的距离足够，改变电场分布，降低碰撞电离率，从而提高了器件终端结构的耐压以及整个器件的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
沟槽型功率MOS器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582959A
申请号 ：
CN202210483500.X
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-05-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
周振强徐承福
申请人 ：
绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省绍兴市越城区皋埠镇临江路518号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹廷廷
优先权 ：
CN202210483500.X
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/786 H01L21/336
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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