一种沟槽型半导体功率器件
授权
摘要
本实用新型涉及半导体功率器件领域，具体为一种沟槽型半导体功率器件，包括半导体功率器件本体，所述半导体功率器件本体的底部开设有条形沟槽，所述半导体功率器件本体的右侧壁安装有多个相同的引脚，所述半导体功率器件本体的右侧壁固定有盒体，所述引脚的外壁固定有散热柱，所述散热柱贯穿插接于盒体内腔，所述盒体的内腔填充有硅脂。本实用新型通过在条形沟槽内壁设置有多个散热针，从而能够增大和空气接触面积，从而大大提升了散热效果，同时电推杆能够带动散热针收纳于半导体功率器件本体内腔，从而能够来回伸缩，将粘附于散热针上的灰尘去除，从而能够避免粘附的灰尘影响散热效果，较为实用，适合广泛推广与使用。
基本信息
专利标题 ：
一种沟槽型半导体功率器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122014362.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-08-25
授权号 ：
CN216354168U
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
焦宗凯
申请人 ：
焦宗凯
申请人地址 ：
江苏省徐州市邳州市银杏大道21号中钰购物中心F1
代理机构 ：
合肥市科融知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王前程
优先权 ：
CN202122014362.4
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L23/02 H01L23/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2022-04-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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