沟槽二极管和功率半导体器件
授权
摘要
本实用新型公开了沟槽二极管和功率半导体器件，该沟槽二极管包括：第一沟槽，该第一沟槽设置在衬底材料中；绝缘层，该绝缘层设置在第一沟槽的表面上方；第一导电类型的第一半导体材料，该第一半导体材料设置在第一沟槽内；和第二导电类型的第二半导体材料，该第二半导体材料设置在第一沟槽内并且设置在第一沟槽中的第一半导体材料的上方。第一半导体材料的掺杂浓度至少是1×1018/cm3。第二半导体材料的掺杂浓度至少是1×1017/cm3。
基本信息
专利标题 ：
沟槽二极管和功率半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921146192.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-19
授权号 ：
CN210296387U
授权日 ：
2020-04-10
发明人 ：
朴锺镐胡尚寿李相龙金世云
申请人 ：
半导体元件工业有限责任公司
申请人地址 ：
美国亚利桑那州
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
张铮铮
优先权 ：
CN201921146192.1
主分类号 ：
H01L29/866
IPC分类号 ：
H01L29/866 H01L29/167 H01L27/06
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法律状态
2020-04-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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