一种沟槽栅超结功率半导体器件
授权
摘要
本实用新型涉及半导体技术领域，具体公开了一种沟槽栅超结功率半导体器件，其中，包括：第一导电类型衬底、第一导电类型外延层以及第一导电类型柱和第二导电类型柱，第一导电类型柱和第二导电类型柱交替设置；第一导电类型源区和第二导电类型体区；第一类沟槽，内填充第一类导电多晶硅；第二类沟槽，内填充第二类导电多晶硅；绝缘介质层；源极金属，设置在绝缘介质层的上方，源极金属通过绝缘介质层内的第一类通孔与第二导电类型体区、第一导电类型源区以及第二导电类型柱之间欧姆接触；第二类通孔和第三类通孔，均设置在绝缘介质层内。本实用新型提供的沟槽栅超结功率半导体器件能够减少反向恢复能量损耗。
基本信息
专利标题 ：
一种沟槽栅超结功率半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123268709.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-23
授权号 ：
CN216597595U
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
朱袁正叶鹏周锦程杨卓
申请人 ：
无锡新洁能股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区电腾路6号
代理机构 ：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹祖良
优先权 ：
CN202123268709.4
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/78 H01L29/423
法律状态
2022-05-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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