半导体超结功率器件
授权
摘要
本发明实施例提供的一种半导体超结功率器件，包括由多个超结MOSFET单元组成的超结MOSFET单元阵列，该超结MOSFET单元包括位于n型漂移区顶部的p型体区，位于p型体区下方的p型柱状掺杂区，位于p型体区内的n型源区，位于p型体区之上栅介质层，位于栅介质层之上的栅极和n型浮栅，且在横向上，栅极位于靠近n型源区的一侧，n型浮栅位于靠近n型漂移区的一侧，栅极通过电容耦合作用于n型浮栅；位于栅介质层中的一个开口，n型浮栅通过所述开口与p型体区接触形成p‑n结二极管。本发明实施例提高了半导体超结功率器件的反向恢复速度。
基本信息
专利标题 ：
半导体超结功率器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112864221A
申请号 ：
CN201911184048.1
公开（公告）日 ：
2021-05-28
申请日 ：
2019-11-27
授权号 ：
CN112864221B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
龚轶刘伟袁愿林刘磊王睿
申请人 ：
苏州东微半导体股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20栋405-406
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
孟金喆
优先权 ：
CN201911184048.1
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/78 H01L27/06
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2021-06-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20191127
申请日 : 20191127
2021-05-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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