一种浅沟道超结MOS半导体功率器件
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摘要
本实用新型公开了一种浅沟道超结MOS半导体功率器件，该器件包括：N型重掺杂衬底，在N型重掺杂衬底上的N型轻掺杂漂移区，在N型轻掺杂漂移区上的N型重掺杂区和P型阱区，该N型重掺杂区设置在P型阱区中间，在P型阱区上且靠近N型重掺杂区的N型轻掺杂区，在N型轻掺杂区上的N型重掺杂源区，在远离栅结构区的N型重掺杂源区一侧相邻接的P型重掺杂源区，在P型阱区和N型重掺杂区上的栅结构区，该栅结构区采用多晶硅材料和高K绝缘材料，N型/P型重掺杂源区引出源极，栅结构引出栅极，N型重掺杂衬底下表面引出漏极。该器件通过N型轻掺杂区可以有效地减小栅沟道的比导通电阻，通过超结结构可以提高该器件的开关速度。
基本信息
专利标题 ：
一种浅沟道超结MOS半导体功率器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022095236.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-22
授权号 ：
CN212907744U
授权日 ：
2021-04-06
发明人 ：
陈利陈译陈彬
申请人 ：
厦门芯一代集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市中国(福建)自由贸易试验区厦门片区港中路1736号205-1单元
代理机构 ：
厦门荔信航知专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
苏娟
优先权 ：
CN202022095236.1
主分类号 ：
H01L29/08
IPC分类号 ：
H01L29/08 H01L29/06 H01L29/78
法律状态
2021-04-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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