一种半导体超结功率器件
授权
摘要
本发明实施例提供的一种半导体超结功率器件，包括由多个超结MOSFET单元组成的超结MOSFET单元阵列，超结MOSFET单元的栅极结构包括栅介质层、栅极和n型浮栅，栅极和n型浮栅位于栅介质层之上，且在横向上，栅极位于靠近n型源区的一侧，n型浮栅位于靠近n型漂移区的一侧，栅极通过电容耦合作用于n型浮栅；至少有一个超结MOSFET单元的n型浮栅通过栅介质层与p型体区隔离，且至少有一个超结MOSFET单元的n型浮栅通过一个位于该n型浮栅下方的栅介质层中的开口与p型体区接触形成p‑n结二极管。本发明实施例可以方便的调节半导体超结功率器件的反向恢复速度。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体超结功率器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112885827A
申请号 ：
CN201911202240.9
公开（公告）日 ：
2021-06-01
申请日 ：
2019-11-29
授权号 ：
CN112885827B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
龚轶刘伟刘磊袁愿林王睿
申请人 ：
苏州东微半导体股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20栋405-406
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
孟金喆
优先权 ：
CN201911202240.9
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L29/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2021-06-18 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/02
申请日 : 20191129
申请日 : 20191129
2021-06-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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