超结半导体器件结构和方法
专利权的终止
摘要
在一个实施例中，在一半导体材料体中形成一个电荷补偿区。导电层和电荷补偿层耦合。在进一步的实验例中，电荷补偿区包括一由相反导电类型的半导体层填入的槽。
基本信息
专利标题 ：
超结半导体器件结构和方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1822391A
申请号 ：
CN200510022822.0
公开（公告）日 ：
2006-08-23
申请日 ：
2005-12-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
加里·H·莱厄切尔特彼得·J·兹德贝尔戈登·M·格里芙娜
申请人 ：
半导体元件工业有限责任公司
申请人地址 ：
美国亚利桑那
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
秦晨
优先权 ：
CN200510022822.0
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2021-11-19 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20051208
授权公告日 : 20091230
终止日期 : 20201208
申请日 : 20051208
授权公告日 : 20091230
终止日期 : 20201208
2009-12-30 ：
授权
2008-02-13 ：
实质审查的生效
2006-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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