超结半导体器件及其形成方法
授权
摘要
本发明涉及一种超结半导体器件及其形成方法。该形成方法包括在具有第一掺杂类型的衬底上多次执行外延生长工艺，形成叠加设置的多个子外延层，在一次外延生长工艺结束而下一次外延生长工艺开始前，执行第一掺杂类型离子注入在顶部子外延层中形成位于所述顶部子外延层上部的界面补偿区，所述界面补偿区与多个子外延层之间的界面较近，可以改善多个子外延层中层与层之间的阻抗高于目标值且稳定性差的问题，有助于N柱和P柱的电荷平衡，提升器件耐压性能和成品率。本发明提供的超结半导体器件采用上述形成方法形成，其中多个子外延层中层与层之间的阻抗降低且稳定性提高，有助于提升超结半导体器件的耐压性能和成品率。
基本信息
专利标题 ：
超结半导体器件及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114122115A
申请号 ：
CN202210103855.1
公开（公告）日 ：
2022-03-01
申请日 ：
2022-01-28
授权号 ：
CN114122115B
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
梁路王东韩廷瑜
申请人 ：
绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省绍兴市皋埠镇临江路518号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
田婷
优先权 ：
CN202210103855.1
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-04-29 ：
授权
2022-03-18 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20220128
申请日 : 20220128
2022-03-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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