本发明实施例提供一种超结器件的制造方法，属于芯片技术领域。所述超结器件的制造方法包括：在半导体衬底上，采用多次外延生长技术，分层制作第一导电类外延层；以及在每层第一导电类外延层上，制作并填充第二导电类型区，形成第一导电类型区与所述第二导电类型区交替排列的结构。把多次外延和深沟槽单次外延填充两种工艺相结合制作超结器件，在器件结构上对比多次外延工艺能够获得浓度分布均匀的P柱，对比深沟槽单次外延填充工艺能够获得较好的沟槽深度均一性及避免了P柱空洞；在器件性能上对比两种工艺能够获得更符合设计要求的击穿电压同时又能保证击穿电压有良好的均一性。