超结器件终端结构

授权

摘要

本实用新型提供了一种超结器件终端结构，包括：第一导电类型的半导体衬底；第一导电类型的外延层，位于半导体衬底上；第二导电类型的多个柱结构，位于外延层中，且沿外延层的厚度方向延伸；多个柱结构在外延层中沿平行于半导体衬底表面的方向排列为有间隔的阵列；多个第二导电类型的耐压增强区，位于外延层中；耐压增强区位于相邻的两个柱结构之间的外延层的下部，且多个耐压增强区在平行于外延层表面的方向上间隔排列。本实用新型通过在柱结构之间的外延层的下部形成耐压增强区，优化超结器件的纵向电场分布，在不增加柱结构深度的条件下，进一步提高超结器件终端结构的耐压特性。

基本信息

专利标题：

超结器件终端结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201920615221.8

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-04-30

授权号：

CN210040202U

授权日：

2020-02-07

发明人：

柴展罗杰馨薛忠营徐大朋

申请人：

上海功成半导体科技有限公司

申请人地址：

上海市嘉定区菊园新区环城路2222号1幢J2620室

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙)

代理人：

余明伟

优先权：

CN201920615221.8

主分类号：

H01L29/06

IPC分类号：

H01L29/06