超结MOSFET器件及芯片

授权

摘要

本申请公开一种超结MOSFET器件及芯片。该超结MOSFET器件包括N型外延层以及位于N型外延层上的元胞区和终端区；元胞区包括第一超结结构，第一超结结构两侧的上表面各设有第一P型基区，第一超结结构中间的上端面上设有第一多晶硅栅极，第一多晶硅栅极的下表面以及两侧面均设有第一氧化层，第一氧化层的外围设有源极金属；终端区包括第二超结结构，第二超结结构的上表面设有第二P型基区，第二P型基区的上表面设有第二氧化层，第二氧化层上设有第二多晶硅栅极；通过控制第一多晶硅栅极以及第二多晶硅栅极的状态，以控制在第一P型基区的表面形成供电流通过的导电沟道。本申请可以提高反向恢复特性。

基本信息

专利标题：

超结MOSFET器件及芯片

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113327982A

申请号：

CN202110554780.4

公开（公告）日：

2021-08-31

申请日：

2021-05-20

授权号：

CN113327982B

授权日：

2022-04-15

发明人：

任敏李长泽李泽宏林泳浩李伟聪

申请人：

深圳市威兆半导体有限公司

申请人地址：

广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301

代理机构：

深圳市嘉勤知识产权代理有限公司

代理人：

辛鸿飞

优先权：

CN202110554780.4

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L29/06