对准标记及超结器件

专利权的主动放弃

摘要

本实用新型提供了一种对准标记及超结器件，所述对准标记包括至少两组平行排布的条状图案以及位于相邻两组条状图案之间的第二沟槽，每组条状图案包括至少两列平行的凸条和位于相邻两列所述凸条之间的第一沟槽，所述第一沟槽的宽度小于所述第二沟槽的宽度，在对准标记上生长外延层时，每组条状图案中的凸条会融合为一个整体而作为新的标记图案，且相对现有技术而言，同等外延厚度条件下，由于外延层需要对相邻两列凸条之间的第一沟槽进行填充，且第二沟槽不容易被填满，因此每组条状图案的整体形变更小，进而能够实现良好光刻对准信号，改善较厚外延工艺后的光刻对准。

基本信息

专利标题：

对准标记及超结器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020400870.9

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-03-25

授权号：

CN211529940U

授权日：

2020-09-18

发明人：

韩廷瑜何云袁家贵梁路陈会治

申请人：

中芯集成电路制造（绍兴）有限公司

申请人地址：

浙江省绍兴市皋埠镇临江路518号

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

曹廷廷

优先权：

CN202020400870.9

主分类号：

H01L23/544

IPC分类号：

H01L23/544 H01L29/06