超结功率器件
授权
摘要
本发明实施例提供的一种超结功率器件，包括至少一个第一MOSFET单元和至少一个第二MOSFET单元，第一MOSFET单元在超结功率器件开启和关断时具有不同的阈值电压，超结功率器件在反向导通时，反向电流可以流过第一MOSFET单元，这提高了超结功率器件的反向恢复速度；第二MOSFET单元相较于第一MOSFET单元具有更短的电流沟道，可以有效控制超结功率器件的芯片尺寸。本发明实施例的超结功率器件在具有快的反向恢复速度的同时还具有小的芯片尺寸。
基本信息
专利标题 ：
超结功率器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112864150A
申请号 ：
CN201911184109.4
公开（公告）日 ：
2021-05-28
申请日 ：
2019-11-27
授权号 ：
CN112864150B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
龚轶袁愿林刘伟刘磊毛振东
申请人 ：
苏州东微半导体股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20栋405-406
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
孟金喆
优先权 ：
CN201911184109.4
主分类号 ：
H01L27/088
IPC分类号 ：
H01L27/088 H01L29/06 H01L29/788
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2021-06-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/088
申请日 : 20191127
申请日 : 20191127
2021-05-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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