一种超结功率DMOS器件
授权
摘要
本实用新型提供一种超结功率DMOS器件，包括金属化漏电极、第一导电类型重掺杂半导体衬底、第一导电类型半导体柱区、第二导电类型半导体柱区、第二导电类型半导体体区、第一导电类型重掺杂半导体源区、第二导电类型重掺杂半导体接触区、多晶硅栅电极、栅介质层、金属化源电极，本实用新型通过在常规超结功率DMOS器件的基础上，将第一导电类型重掺杂半导体衬底由均匀掺杂改变为非均匀掺杂，避免了高掺杂衬底与低掺杂漂移区层的电场尖峰，缓解了SEB效应，从而提高其器件的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种超结功率DMOS器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921232658.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-31
授权号 ：
CN209896067U
授权日 ：
2020-01-03
发明人 ：
任敏胡玉芳马怡宁李泽宏张波
申请人 ：
电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请人地址 ：
四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
代理机构 ：
成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
敖欢
优先权 ：
CN201921232658.X
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/10 H01L29/36 H01L29/78
法律状态
2020-01-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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