超结功率器件
授权
摘要
本实用新型提供一种超结功率器件，包括：第一导电类型的半导体衬底；第一导电类型的外延层；第二导电类型的柱结构，位于外延层内；体接触区，位于柱结构的顶部；栅极结构，位于外延层的部分上表面；源区，位于体接触区内；正面金属电极，位于体接触区、源区及层间介质层的表面；石墨烯层，位于半导体衬底的表面；背面金属电极，位于石墨烯层的表面。本实用新型的超结功率器件的生产成本相较于现有结构可有效降低，且石墨烯层的厚度可以控制在很小的范围，有利于器件的进一步小型化和进一步降低器件功耗；此外，本实用新型的超结功率器件可以有效降低器件的正向导通电阻，提高器件导通能力。
基本信息
专利标题 ：
超结功率器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920750527.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-23
授权号 ：
CN210040204U
授权日 ：
2020-02-07
发明人 ：
薛忠营徐大朋柴展罗杰馨
申请人 ：
上海功成半导体科技有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区菊园新区环城路2222号1幢J2620室
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
余明伟
优先权 ：
CN201920750527.4
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/78 H01L29/739
法律状态
2020-02-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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