一种超结功率半导体器件
授权
摘要
本实用新型涉及半导体技术领域，具体公开了一种超结功率半导体器件，包括：第一导电类型衬底及位于第一导电类型衬底上的第一导电类型漂移区，第一导电类型漂移区内设置有第一导电类型柱、第二导电类型第一柱和第二导电类型第二柱，每个第二导电类型第二柱的两侧均与第二导电类型第一柱相邻；第二导电类型第一柱上设置有第二导电类型体区；第二导电类型体区的上方设置有第一栅电极，第二导电类型第二柱上方设置有第二栅电极，第一栅电极和第二栅电极被第二绝缘介质层间隔且电性连接。本实用新型提供的超结功率半导体器件可以改善超结半导体器件的开关特性。
基本信息
专利标题 ：
一种超结功率半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921422126.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-29
授权号 ：
CN210156383U
授权日 ：
2020-03-17
发明人 ：
朱袁正李宗清
申请人 ：
无锡新洁能股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号（与华清路交叉口）无锡（滨湖）国家信息传感中心-B1楼东侧2楼
代理机构 ：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹祖良
优先权 ：
CN201921422126.2
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/06 H01L21/336
法律状态
2020-03-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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