本发明涉及一种超结半导体器件。所述超结半导体器件的至少一个元胞结构中，第一类型体区包括在第三方向上排布的至少两个分段体区，源区设置于一部分所述分段体区的远离漏区的表面，栅氧化层设置于另一部分所述分段体区的远离所述漏区的表面，栅极设置于所述栅氧化层远离所述分段体区的表面，该元胞结构中，设置栅氧化层和栅极的分段体区与设置源区的分段体区分隔，可以减弱第一类型掺杂柱对栅极的屏蔽作用，相对于传统结构可以增大米勒电容Cgd，有助于降低关断速度，减小过冲电压，改善EMI问题，并且研究表明对于Qg和器件耐压性能的影响较小。