超结器件结构
授权
摘要
本实用新型提供了一种超结器件结构，包括：第一导电类型的半导体衬底；第一导电类型的外延层，形成于半导体衬底上；第二导电类型的多个柱结构，形成于外延层中，且沿外延层的厚度方向延伸；多个柱结构在外延层中沿平行于半导体衬底表面的方向排列；多个第二导电类型的耐压增强区，位于外延层中；耐压增强区位于相邻的两个柱结构之间的外延层底部，且多个耐压增强区在平行于外延层表面的方向上间隔排列。本实用新型通过在柱结构之间的外延层底部形成耐压增强区，优化纵向电场分布，提高超结器件耐压特性；且通过设置间隔排列的耐压增强区，确保了超结器件具有较低的导通电阻。
基本信息
专利标题 ：
超结器件结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920645462.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-30
授权号 ：
CN210040203U
授权日 ：
2020-02-07
发明人 ：
柴展罗杰馨薛忠营徐大朋
申请人 ：
上海功成半导体科技有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区菊园新区环城路2222号1幢J2620室
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
余明伟
优先权 ：
CN201920645462.7
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06
法律状态
2020-02-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
