超结器件结构及其制备方法
公开
摘要
本发明提供了一种超结器件结构及其制备方法，超结器件结构包括：第一导电类型的半导体衬底；第一导电类型的外延层，位于半导体衬底的上表面；第二导电类型的柱结构，位于外延层内，且沿外延层的厚度方向延伸，柱结构与外延层具有不同的晶格常数，外延层包含硅材料层；柱结构包含锗硅材料层。本发明通过形成与外延层具有不同晶格常数的柱结构，引入均匀可控的缺陷，从而增加载流子复合几率，降低载流子寿命，以达到在器件关断时载流子迅速减少的目的，对外延的第一导电类型薄膜产生压应力，导致外延第一导电类型漂移区载流子迁移率发生改变，相比传统超结器件，提升了反向恢复能力。
基本信息
专利标题 ：
超结器件结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628493A
申请号 ：
CN202111581793.7
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-12-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐大朋罗杰馨柴展黄肖艳
申请人 ：
上海功成半导体科技有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区菊园新区环城路2222号1幢J2620室
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
卢炳琼
优先权 ：
CN202111581793.7
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/32 H01L29/78 H01L29/786 H01L21/336
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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