具有超结结构的高压无结FinFET器件及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种具有超结结构的高压无结FinFET器件及制备方法，该器件包括：形成于衬底内的包括源区、沟道区、漂移区及漏区的至少两根鳍状结构，相邻两漂移区之间形成沟槽；形成于每根鳍状结构的两侧和顶面上的并联连接的多个栅极结构；形成于源区及漏区的源极及漏极，源极、漏极、沟道区及漂移区的掺杂类型相同；形成于沟槽中的半导体掺杂层，相邻的漂移区与半导体掺杂层之间形成超结结构。通过在无结FinFET器件的沟道区与漏极之间形成漂移区，有效提高了FinFET器件的击穿电压，改善了FinFET器件的耐高压性能；通过在FinFET器件的宽度方向形成若干个由相邻的漂移区与半导体掺杂层形成的超结结构，可进一步提高FinFET器件的耐高压性能，同时降低FinFET器件的导通电阻。
基本信息
专利标题 ：
具有超结结构的高压无结FinFET器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284334A
申请号 ：
CN202110616327.1
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-06-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
肖德元
申请人 ：
青岛昇瑞光电科技有限公司
申请人地址 ：
山东省青岛市黄岛区山王河路1088号
代理机构 ：
北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
高园园
优先权 ：
CN202110616327.1
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L21/8234 H01L27/088 H01L29/08 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20210602
申请日 : 20210602
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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