一种超结高压器件结构及制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种超结高压器件结构及制造方法，属于半导体分立器件技术领域，解决了现有技术中超结MOSFET器件雪崩击穿时寄生BJT引起的二次击穿效应的问题。本发明具体技术方案为，通过在超结高压器件的trench Gate之间增加了并联的二极管结构，且此二极管结构采用了逆向的浓度掺杂分布，形成两个间隔的P+区以弱化轻掺杂P型区的电场。本发明改善了超结MOSFET二极管导通状态下的注入效率，减少了少子注入，反向回复时间和反向回复电荷都得到有效降低；一定程度上避免了寄生NPN结构的开启导致的雪崩耐量降低，提高了抗浪涌能力。
基本信息
专利标题 ：
一种超结高压器件结构及制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464534A
申请号 ：
CN202111645759.1
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
肖晓军胡丹丹
申请人 ：
龙腾半导体股份有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市未央区经济技术开发区凤城十二路1号出口加工区
代理机构 ：
西安新思维专利商标事务所有限公司
代理人 ：
李罡
优先权 ：
CN202111645759.1
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L29/06 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20211230
申请日 : 20211230
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
