高压器件的场平板结构及其制造方法
授权
摘要
本发明涉及一种高压器件的场平板的制造方法，适用于基底中的漂移区上，而漂移区上有隔离结构。此方法是先在基底上方，形成第一介电层。接着，在第一介电层上，形成第一图案化导电层，其中第一图案化导电层位于隔离结构上方，且裸露出部分第一介电层的表面。然后，移除第一介电层的裸露的部分，直到裸露出隔离结构的表面，以形成多个垂直鳍状介电底层。此方法可以避免基底受蚀刻破坏，且提高高压器件的击穿电压。
基本信息
专利标题 ：
高压器件的场平板结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101009226A
申请号 ：
CN200610006790.X
公开（公告）日 ：
2007-08-01
申请日 ：
2006-01-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
高境鸿林金顺
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610006790.X
主分类号 ：
H01L21/335
IPC分类号 ：
H01L21/335 H01L29/772
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
法律状态
2009-04-08 ：
授权
2007-09-26 ：
实质审查的生效
2007-08-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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