终端结构及其制造方法、半导体器件
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种终端结构及其制造方法、半导体器件，所述终端结构位于一衬底的终端区，所述衬底还包括元胞区，所述终端区围绕所述元胞区；所述终端结构包括：VLD分压环，形成于所述终端区的靠近所述元胞区的一端且向远离所述元胞区的另一端方向延伸，所述VLD分压环包括多个连接的掺杂环；沟槽截止环，形成于所述终端区的远离所述元胞区的所述另一端，所述沟槽截止环与所述VLD分压环之间间隔所述衬底，所述沟槽截止环的深度大于或等于最靠近所述沟槽截止环的掺杂环的深度。本发明的技术方案在避免耗尽区耗尽到划片道而形成漏电通道的同时，还能减小终端区的宽度。
基本信息
专利标题 ：
终端结构及其制造方法、半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335147A
申请号 ：
CN202111675351.9
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
胡钰祺
申请人 ：
绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省绍兴市皋埠镇临江路518号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹廷廷
优先权 ：
CN202111675351.9
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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