一种半导体器件、终端结构及其制造方法
实质审查的生效
摘要
一种半导体器件、终端结构及其制造方法，终端结构，包括基底、主结和至少一个场限环；基底包括衬底以及漂移区；场限环的第一掺杂区形成在漂移区上；主结形成在漂移区上，主结包括第二掺杂区；主结上形成有增强环，增强环包括多晶硅结构以及位于多晶硅结构下方的第三掺杂区。由于增强环的存在，耗尽区缩小，使得界面空穴陷阱分布更集中于主结，增强环表面对界面陷阱电荷的敏感性降低，进而退化应力产生的热载流子对于表面电场的影响得以降低，退化效应得到缓解，抑制新的界面空穴电荷产生，加速器件在反向电流应力下达到击穿电压的平衡态，提高了抑制击穿电压退化的能力，提高器件可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体器件、终端结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335154A
申请号 ：
CN202210227409.1
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2022-03-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
姜春亮李伟聪雷秀芳
申请人 ：
深圳市威兆半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
代理机构 ：
深圳鼎恒诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈俊斌
优先权 ：
CN202210227409.1
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/739 H01L21/331
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20220310
申请日 : 20220310
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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