一种功率半导体器件及其边缘终端区结构
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摘要
本实用新型提供一种功率半导体器件及其边缘终端区结构，涉及功率半导体领域。该边缘终端区包括：背面金属电极层；N+衬底，邻接于所述背面金属电极层上方；N型外延层，邻接在所述N+衬底上方；p掺杂场环，设置于所述N型外延层上表面；浮游p层环，设置于N型外延层内，在N型外延层内纵向延伸，以延展空间电荷层的纵向深度，减小外加电场强度；绝缘场板，设置于所述p掺杂场环上方；表面金属电极层，设置于所述绝缘场板和所述p掺杂场环的上方。添加浮游p层环，其在N型外延层内纵向延伸，使空间电荷层边界在向外周扩张时更向纵向延伸，不用增加边缘终端区面积，而能提高边缘终端区的耐电压能力，有利于功率半导体器件的微小化。
基本信息
专利标题 ：
一种功率半导体器件及其边缘终端区结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020770046.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-11
授权号 ：
CN211858656U
授权日 ：
2020-11-03
发明人 ：
李燕陈译
申请人 ：
厦门理工学院
申请人地址 ：
福建省厦门市集美区理工路600号
代理机构 ：
厦门智慧呈睿知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
郭福利
优先权 ：
CN202020770046.2
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L27/02 H01L21/71
法律状态
2020-11-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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