半导体器件边缘终端结构及方法
授权
摘要
在一个实施方案中，在具有第一导电类型的一半导体层内形成一个边缘终端结构。该终端结构包括一个隔离槽和一个和半导体层相接触的导电层。该半导体层是在具有第二导电类型的一片半导体基片上形成的。在一个进一步的实施方案中，该隔离槽包括多个形状，这些形状包含部分半导体层。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件边缘终端结构及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1822390A
申请号 ：
CN200510022821.6
公开（公告）日 ：
2006-08-23
申请日 ：
2005-12-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
加里·H·莱厄切尔特彼得·J·兹德贝尔戈登·M·格里芙娜
申请人 ：
半导体元件工业有限责任公司
申请人地址 ：
美国亚利桑那
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
秦晨
优先权 ：
CN200510022821.6
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2009-12-02 ：
授权
2008-04-02 ：
实质审查的生效
2006-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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