半导体器件及其结边缘区

授权

摘要

本申请是一种半导体器件及其结边缘区，所述结边缘区包括同导体类型叠层结构的半导体衬底及其上方的外延层，所述结边缘区包括一个以上的环单元，其包括在外延层上设置的多数个槽，邻接槽底的第一浮空区，及半导体衬底与外延层之间的第二浮空区。所述多数个槽内部设置导电材料，通过第一绝缘介质而与所述半导体衬底及所述浮空区相隔离。所述半导体衬底表面设置第二绝缘介质，其覆盖、邻接或邻近所述第一绝缘介质。

基本信息

专利标题：

半导体器件及其结边缘区

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201922344952.6

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-12-24

授权号：

CN211480034U

授权日：

2020-09-11

发明人：

杜文芳

申请人：

南京芯舟科技有限公司

申请人地址：

江苏省南京市浦口区江浦街道浦口大道1号新城总部大厦506-1室

代理机构：

北京汇泽知识产权代理有限公司

代理人：

亓赢

优先权：

CN201922344952.6

主分类号：

H01L29/06

IPC分类号：

H01L29/06