半导体器件的结构和制造方法

专利申请权、专利权的转移

摘要

本发明提供了一种包括具有第一部分和第二部分的半导体器件区的结构。提供水平地在所述第一部分上但不在所述第二部分上延伸的导电部件。如应力施加膜的第一膜，在所述第二部分上和只部分地在所述导电部件上延伸，以暴露所述部件的接触部分。提供与所述部件的所述接触部分导电连通的第一接触过孔，第一接触过孔具有自对准含硅化物区。提供与所述半导体器件区的所述第二部分导电连通的第二接触过孔，所述第二接触过孔延伸穿过所述第一膜。

基本信息

专利标题：

半导体器件的结构和制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1790700A

申请号：

CN200510114325.3

公开（公告）日：

2006-06-21

申请日：

2005-10-20

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

杨海宁朱慧珑C·H·沃恩

申请人：

国际商业机器公司

申请人地址：

美国纽约

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

于静

优先权：

CN200510114325.3

主分类号：

H01L23/522

IPC分类号：

H01L23/522 H01L21/768

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L23/00

半导体或其他固态器件的零部件

H01L23/52

用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置

H01L23/522

包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的

法律状态

2017-11-17 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 23/522
登记生效日 : 20171031
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 美国纽约

2017-11-17 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 23/522
登记生效日 : 20171031
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更后权利人 : 格芯公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 开曼群岛大开曼岛

2009-01-14 ：

授权

2006-08-16 ：

实质审查的生效

2006-06-21 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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