Trench MOS器件的制造方法及结构

实质审查的生效

摘要

本申请公开了Trench MOS器件的制造方法，包括：提供N型外延层，在N型外延层的表面形成硅层；对硅层进行P型离子注入，使硅层改变为P型；对硅层的表面进行N型离子注入，形成N+区；对硅层及N型外延层进行刻蚀形成沟槽，沟槽暴露出一部分N型外延层；在沟槽内形成多晶硅层，在多晶硅层上生长一金属硅化物。在Trench MOS器件的制造方法中，在多晶硅上生长一金属硅化物，能够大幅降低栅极电阻，增强器件导电性。

基本信息

专利标题：

Trench MOS器件的制造方法及结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114267730A

申请号：

CN202111498863.2

公开（公告）日：

2022-04-01

申请日：

2021-12-09

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

张博文齐笑钱佳成张正宇刘秀勇陈正嵘

申请人：

华虹半导体（无锡）有限公司

申请人地址：

江苏省无锡市新吴区新洲路30号

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司

代理人：

刘昌荣

优先权：

CN202111498863.2

主分类号：

H01L29/423

IPC分类号：

H01L29/423 H01L29/49 H01L29/78 H01L21/335

法律状态

2022-04-19 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 29/423
申请日 : 20211209

2022-04-01 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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