电气器件的制造方法
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
摘要
本说明书叙述了一种经过改进的电气器件的制造方法。器件的例子是一覆盖在塑模中的IC芯片，在塑模工序之前，用氮化硅涂覆IC芯片，以保护IC芯片不受通过裂纹或裂缝的水份的侵蚀。氮化硅的涂覆层是用等离子体CVD法进行的。特别是，在沉积期间，为了获得优质的氮化硅涂层，将一交流电压加到IC芯片上。
基本信息
专利标题 ：
电气器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1039504A
申请号 ：
CN89103436.6
公开（公告）日 ：
1990-02-07
申请日 ：
1989-05-19
授权号 ：
CN1020317C
授权日 ：
1993-04-14
发明人 ：
山崎舜平石田典也坂间光佐佐木麻里
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县厚木市
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN89103436.6
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L23/29 H01L21/56 H01L21/205
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2009-07-22 ：
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2002-04-24 ：
其他有关事项
1993-04-14 ：
授权
1991-08-21 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1990-02-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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