闪存器件及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明提供一种闪存器件及其制造方法，其包括具有源极选择线、多条字线及漏极选择线的串结构，形成自对准接触后，第一绝缘膜填充于所述字线之间、所述字线与所述源极选择线之间及所述字线与所述漏极选择线之间。间隔物利用第二绝缘膜形成于所述源极选择线及所述漏极选择线的侧壁上。在此情况下，该第一绝缘膜具有小于该第二绝缘膜的介电常数值的介电常数值。因此，可形成稳定的自对准接触，可使编程操作中的Vt扰动现象最小化，且可改善器件的操作速度。
基本信息
专利标题 ：
闪存器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1905195A
申请号 ：
CN200510137549.6
公开（公告）日 ：
2007-01-31
申请日 ：
2005-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄畴元金占寿
申请人 ：
海力士半导体有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
李晓舒
优先权 ：
CN200510137549.6
主分类号 ：
H01L27/115
IPC分类号 ：
H01L27/115 H01L23/532 H01L21/8247 H01L21/768
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
法律状态
2012-03-14 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101201910300
IPC(主分类) : H01L 27/115
专利号 : ZL2005101375496
申请日 : 20051230
授权公告日 : 20090527
终止日期 : 20101230
号牌文件序号 : 101201910300
IPC(主分类) : H01L 27/115
专利号 : ZL2005101375496
申请日 : 20051230
授权公告日 : 20090527
终止日期 : 20101230
2009-05-27 ：
授权
2007-03-28 ：
实质审查的生效
2007-01-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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