制造闪存器件的电介质膜的方法
专利权的终止
摘要
本发明提供一种制造闪存器件的电介质膜的方法，包括步骤：提供形成有浮置栅极的半导体衬底；在减压状态下实施氧化工艺从而在所述包括浮置栅极的半导体衬底上形成第一氧化物膜的薄膜；在所述第一氧化物膜上顺序形成氮化物膜和第二氧化物膜从而形成具有第一氧化物膜、氮化物膜和第二氧化物膜的电介质膜。
基本信息
专利标题 ：
制造闪存器件的电介质膜的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1885510A
申请号 ：
CN200510136240.5
公开（公告）日 ：
2006-12-27
申请日 ：
2005-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朱光喆
申请人 ：
海力士半导体有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
李晓舒
优先权 ：
CN200510136240.5
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/283 H01L21/314
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2015-02-18 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101599306488
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL2005101362405
申请日 : 20051223
授权公告日 : 20090311
终止日期 : 20131223
号牌文件序号 : 101599306488
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL2005101362405
申请日 : 20051223
授权公告日 : 20090311
终止日期 : 20131223
2009-03-11 ：
授权
2007-02-14 ：
实质审查的生效
2006-12-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN100468659C.PDF
PDF下载
2、
CN1885510A.PDF
PDF下载
