NAND型闪存器件及其制造方法
授权
摘要
在实施例中，存储器件包括具有单元阵列区和外围电路区的半导体衬底。包括位线接触插塞、公共源线、外围栅互连接触插塞、以及外围金属互连接触插塞的插塞由通过相同工艺的导电层构成。同样，包括直接连接到插塞的位线、单元金属互连、外围栅互连和外围金属互连的金属互连通过相同工艺的金属层构成。因此，简化了包括插塞和金属互连的互连结构，并因此简化了它们的形成过程。
基本信息
专利标题 ：
NAND型闪存器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1825592A
申请号 ：
CN200610009420.1
公开（公告）日 ：
2006-08-30
申请日 ：
2006-02-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
曹盛纯金建秀崔定赫赵相渊
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
林宇清
优先权 ：
CN200610009420.1
主分类号 ：
H01L27/105
IPC分类号 ：
H01L27/105 H01L23/52 H01L21/8239 H01L21/768
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
法律状态
2008-11-26 ：
授权
2006-10-25 ：
实质审查的生效
2006-08-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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