三维闪存器件的制造方法
授权
摘要
本发明涉及通过采用基于高压超临界的氧化物组成比最佳化技术来以超临界蒸镀工序或高压致密化工序形成纵横比非常大的三维闪存器件的介电填料的三维闪存器件的制造方法，可通过低温高压热处理来对用于填充介电质的介电填料进行填充，从而可改善三维闪存器件的特性和可靠性。
基本信息
专利标题 ：
三维闪存器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108389864A
申请号 ：
CN201810107154.9
公开（公告）日 ：
2018-08-10
申请日 ：
2018-02-02
授权号 ：
CN108389864B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
黄显相
申请人 ：
株式会社HPSP;浦项工科大学校产学协力团
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 ：
丁文蕴
优先权 ：
CN201810107154.9
主分类号 ：
H01L27/1157
IPC分类号 ：
H01L27/1157 H01L27/11578
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2018-09-04 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/1157
申请日 : 20180202
申请日 : 20180202
2018-08-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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