闪存器件及其制造方法
授权
摘要
本发明提供了一种闪存器件及其制造方法，将浮栅的材料由传统的530摄氏度或620摄氏度的掺杂多晶硅，替换为包括无定型硅和单晶硅中的至少一种，由此解决浮栅中具有填充空洞的问题，进而使得存储单元面积继续微缩成为可能，且在存储单元的面积微缩后能提高存储容量，并保证器件的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
闪存器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112436011A
申请号 ：
CN202011496589.0
公开（公告）日 ：
2021-03-02
申请日 ：
2020-12-17
授权号 ：
CN112436011B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
杨道虹周俊孙鹏
申请人 ：
武汉新芯集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹廷廷
优先权 ：
CN202011496589.0
主分类号 ：
H01L27/11521
IPC分类号 ：
H01L27/11521 H01L29/49 H01L29/788 H01L21/336
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
H01L27/11517
具有浮栅的
H01L27/11521
以存储器核心区为特征的
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2021-03-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11521
申请日 : 20201217
申请日 : 20201217
2021-03-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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