闪存器件及其制作方法

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摘要

本发明提供了一种闪存器件及其制作方法，在浮栅材料层上形成氧化层，平坦化所述氧化层与所述浮栅材料层之后，所述存储区内剩余的浮栅材料层形成浮栅且外围区保留有部分厚度的所述浮栅材料层，以所述浮栅和所述外围区保留的部分厚度的浮栅材料层为掩膜刻蚀所述浮栅之间的隔离结构，能够节省图形化工艺，避免了由于光刻胶图形化造成的缺陷，并且降低了生产成本，同时提高了浮栅的均一性。

基本信息

专利标题：

闪存器件及其制作方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110797341A

申请号：

CN201911090126.1

公开（公告）日：

2020-02-14

申请日：

2019-11-08

授权号：

CN110797341B

授权日：

2022-04-08

发明人：

薛广杰胡华李赟

申请人：

武汉新芯集成电路制造有限公司

申请人地址：

湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

曹廷廷

优先权：

CN201911090126.1

主分类号：

H01L27/11517

IPC分类号：

H01L27/11517 H01L27/11521 H01L21/28