闪存器件编程操作方法和装置
实质审查的生效
摘要
本申请涉及存储器技术领域，具体涉及一种闪存器件编程操作方法和用于执行存储单元进行编程读操作的装置。该方法包括以下依次进行的步骤：提供闪存器件的存储单元，存储单元包括硅基底，硅基底上形成栅极结构，栅极结构包括述第一介质层和浮栅，第一介质层与硅基底的上表面接触，浮栅设于第一介质层上；第一介质层与硅基底接触面位置处捕获有带正电荷的粒子；对存储单元进行第一次编程写操作，使得带负电荷的自由电子流入浮栅中；对存储单元进行烘烤操作，使得浮栅中带负电荷的自由电子与接触面位置处带正电荷的粒子结合，使得浮栅中带负电荷的自由电子减少；对存储单元进行第二次编程写操作，使得带负电荷的自由电子再次流入浮栅中，使得浮栅中带负电荷的自由电子增多。
基本信息
专利标题 ：
闪存器件编程操作方法和装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284365A
申请号 ：
CN202111472233.8
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
曹谢元吴苑王冠军徐杰高超
申请人 ：
华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区新洲路30号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
戴广志
优先权 ：
CN202111472233.8
主分类号 ：
H01L29/788
IPC分类号 ：
H01L29/788 H01L21/336 G11C16/10
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/788
申请日 : 20211206
申请日 : 20211206
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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