基于可编程逻辑器件的NAND闪存启动装置
专利权的终止
摘要

本实用新型涉及一种基于可编程逻辑器件的NAND闪存启动装置,包括NAND闪存,其还包括与所述NAND闪存连接的NAND闪存控制器,用于将NAND闪存的NAND接口转换为SRAM接口。所述NAND闪存控制器包括指令发生单元以及与所述指令发生单元连接的数据缓存单元、地址译码单元、忙闲指示单元、坏块探测单元。本实用新型旨在解决现有技术需要将NOR闪存或SDRAM与NAND闪存集成在一个芯片内才能提供SRAM接口的缺陷,通过增加NAND闪存控制器来利用NAND闪存实现启动,只需要单片NAND闪存就可完成NAND接口到SDRAM接口的转换,同时支持代码和数据的存取。

基本信息
专利标题 :
基于可编程逻辑器件的NAND闪存启动装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200820093441.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2008-04-16
授权号 :
CN201185088Y
授权日 :
2009-01-21
发明人 :
吴江东范世杰游江鲁礼元
申请人 :
浩通科技(深圳)有限公司
申请人地址 :
518067广东省深圳市南山区高新科技园中区科发路2号工业区1栋3楼
代理机构 :
深圳市顺天达专利商标代理有限公司
代理人 :
郭伟刚
优先权 :
CN200820093441.0
主分类号 :
G11C7/10
IPC分类号 :
G11C7/10  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C7/10
输入/输出数据接口装置,例如:I/O数据控制电路、I/O数据缓冲器
法律状态
2010-08-04 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101004345582
IPC(主分类) : G11C 7/10
专利号 : ZL2008200934410
申请日 : 20080416
授权公告日 : 20090121
2009-01-21 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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