闪存器件及其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种闪存器件及其制造方法。所述器件包括完全围绕浮置栅极的顶部及侧部所形成的控制栅极。所述控制栅极位于在字线方向相邻的浮置栅极、以及在位线方向相邻的浮置栅极之间。本闪存器件减少由于浮置栅极之间的干扰所产生的阈值电压偏移，且还增加了浮置栅极与控制栅极的重叠区域。因此，存在可以增加耦合比的效应。
基本信息
专利标题 ：
闪存器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1862836A
申请号 ：
CN200510118158.X
公开（公告）日 ：
2006-11-15
申请日 ：
2005-10-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金基锡
申请人 ：
海力士半导体有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510118158.X
主分类号 ：
H01L29/788
IPC分类号 ：
H01L29/788 H01L29/40 H01L27/105 H01L21/283 H01L21/336 H01L21/8239
法律状态
2010-07-21 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101003370088
IPC(主分类) : H01L 29/788
专利申请号 : 200510118158X
公开日 : 20061115
号牌文件序号 : 101003370088
IPC(主分类) : H01L 29/788
专利申请号 : 200510118158X
公开日 : 20061115
2007-01-10 ：
实质审查的生效
2006-11-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
CN1862836A.PDF
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