NORD闪存的制造方法

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摘要

本发明公开了一种NORD闪存的制造方法，包括：步骤一、完成多晶硅字线的端头切断之前的工艺；步骤二、光刻定义出多晶硅字线的端头切断区域；步骤三、进行第一次刻蚀工艺将打开区域的多晶硅字线和多晶硅控制栅去除并停止在多晶硅间介质层的氮化硅层上；步骤四、形成第三氧化层；步骤五、进行回刻并在端头侧面形成保护侧墙；步骤六、采用第二次湿法刻蚀工艺去除多晶硅间介质层，在第二次湿法刻蚀工艺中，保护侧墙对端头侧面处的侧墙间隔层中的氮化硅层进行保护；步骤七、进行第三次刻蚀工艺将端头侧面外的多晶硅浮栅去除。本发明能在栅极结构端头截断后避免对端头侧面处的氮化硅层产生破坏，能提高产品的良率和可靠性且工艺成本低。

基本信息

专利标题：

NORD闪存的制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111129025A

申请号：

CN201911373706.1

公开（公告）日：

2020-05-08

申请日：

2019-12-27

授权号：

CN111129025B

授权日：

2022-04-05

发明人：

徐晓俊熊伟张剑陈华伦

申请人：

华虹半导体（无锡）有限公司

申请人地址：

江苏省无锡市新吴区新洲路30号

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司

代理人：

郭四华

优先权：

CN201911373706.1

主分类号：

H01L27/11524

IPC分类号：

H01L27/11524 H01L21/28