制造快闪存储装置的方法
专利权的终止
摘要
一种制造快闪存储装置的方法，包括在基板上定义高压区域和低压区域。该高压区域提供第一晶体管的区域，该低压区域提供第二晶体管的区域，每个第一晶体管具有栅电极，并且在栅电极的每个侧面上具有源电极/漏电极区域。形成第一杂质区域作为该源电极/漏电极区域的一部分，该第一杂质区域距该基板的上表面具有第一深度，该具有第一导电类型的第一杂质区域具有第一杂质浓度。形成第二杂质作为该源电极/漏电极区域的一部分，该第二杂质区域距该基板的该上表面具有小于第一深度的第二深度，该第二杂质区域具有该第一导电类型，并且其具有大于该第一杂质浓度的第二杂质浓度。将第二导电类型的杂质注入该源电极/漏电极区域中。
基本信息
专利标题 ：
制造快闪存储装置的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1841708A
申请号 ：
CN200610054954.6
公开（公告）日 ：
2006-10-04
申请日 ：
2006-02-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朴正焕金泰均李东基
申请人 ：
海力士半导体有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610054954.6
主分类号 ：
H01L21/8239
IPC分类号 ：
H01L21/8239 H01L21/336
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
法律状态
2015-04-15 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101605905042
IPC(主分类) : H01L 21/8239
专利号 : ZL2006100549546
申请日 : 20060227
授权公告日 : 20081105
终止日期 : 20140227
号牌文件序号 : 101605905042
IPC(主分类) : H01L 21/8239
专利号 : ZL2006100549546
申请日 : 20060227
授权公告日 : 20081105
终止日期 : 20140227
2008-11-05 ：
授权
2006-12-06 ：
实质审查的生效
2006-10-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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