嵌入式闪存及其制造方法
授权
摘要
一种嵌入式闪存及其制造方法，该闪存包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底内的若干间隔排列的隔离结构；位于所述半导体衬底上的浮栅层，所述浮栅层包括若干浮栅、以及位于相邻两个所述浮栅之间的露出所述隔离结构的开口，所述开口的顶端口径大于底端口径；填充在所述开口内的控制栅。本发明的技术方案中，开口的深宽比减小，提高了控制栅的填充能力，减少了控制栅内部形成空洞的可能。
基本信息
专利标题 ：
嵌入式闪存及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109727984A
申请号 ：
CN201711018734.2
公开（公告）日 ：
2019-05-07
申请日 ：
2017-10-27
授权号 ：
CN109727984B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
陈建奇
申请人 ：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张江路18号
代理机构 ：
上海立群专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
侯莉
优先权 ：
CN201711018734.2
主分类号 ：
H01L27/11521
IPC分类号 ：
H01L27/11521 H01L29/788 H01L21/336
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
H01L27/11517
具有浮栅的
H01L27/11521
以存储器核心区为特征的
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2019-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11521
申请日 : 20171027
申请日 : 20171027
2019-05-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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