闪存存储器器件

授权

摘要

一种闪存存储器器件包括第一组伪存储单元，它们被布置在耦接到源极选择线的源极选择晶体管和耦接到第一字线的存储单元之间。所述闪存存储器器件还包括第二组伪存储单元，它们被布置在耦接到漏极选择线的漏极选择晶体管和耦接到最后字线的存储单元之间。所述闪存存储器器件被配置来防止在被取消选定的单元串中的编程干扰以及在所选择的单元串中的编程/擦除速度的变差。

基本信息

专利标题：

闪存存储器器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1832046A

申请号：

CN200510136246.2

公开（公告）日：

2006-09-13

申请日：

2005-12-23

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

朴熙植李敬馥朴丙洙

申请人：

海力士半导体有限公司

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

黄小临

优先权：

CN200510136246.2

主分类号：

G11C16/06

IPC分类号：

G11C16/06 G11C16/10 H01L27/115 H01L21/8247